VCSEL芯片的制备过程如下：

1. 基片生长：在半导体石英或蓝宝石基片上通过分子束外延或金属有机化合物外延等技术生长半导体多层结构。

2. 加工：通过光刻和干法腐蚀等工艺将多层结构化成VCSEL芯片原型。

3. 清洗：用化学清洗和超声波清洗等工艺处理VCSEL芯片表面和内部的杂质和氧化物。

4. 电极沉积：在VCSEL芯片上沉积金属电极，形成一个正极和一个负极，用于注入电流。

5. 砷化镓抛光：用抛光等工艺将砷化镓表面平整，并形成一定的反射镜结构。

6. 加工粘结：用腐蚀粘结等工艺将VCSEL芯片和子山墨镜片粘接装配成VCSEL激光器。

7. 检测：通过测试仪器对VCSEL激光器进行测试，如测试电流-电压曲线、光功率等参数。

8. 封装测试：将VCSEL激光器封装到外壳内，并进行长期稳定性和温度、湿度等环境影响性能的测试。

9. 产品出货：将测试通过的VCSEL芯片和激光器出货给客户使用。