多层QLC闪存是一种存储许多位数据的闪存技术，通常是2位或更多。它通过在每个存储单元中存储多个比特位来实现这一点，从而提高存储容量并降低每比特成本。

多层QLC闪存采用垂直堆叠的阵列结构，每个阵列包含多个闪存层。每个闪存层由多个闪存单元组成，每个单元可存储一个或多个比特。为了写入数据，根据要写入的数据，向闪存单元施加电压。读取数据时，根据施加的电压检测单元中的比特值。